2025年7月25日(ri)國家知識(shi)產(chan)權(quan)局信(xin)息(xi)顯示，北(bei)京晶澳太陽能光伏(fu)科(ke)技有限公司申(shen)請一項(xiang)名(ming)為“一種背(bei)接觸(chu)異質結太陽能電池及其制備方法(fa)”的專利(li)，公開號CN120379383A，申(shen)請日(ri)期為2025年06月。

專利摘要顯示，本發明公開一(yi)種背(bei)接觸異質結太(tai)陽能(neng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)及其制(zhi)備方法。制(zhi)備方法可包括：提供(gong)硅(gui)基(ji)體，硅(gui)基(ji)體的(de)第一(yi)主表面具有交替設置的(de)第一(yi)導電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)區(qu)和第二(er)(er)(er)導電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)區(qu)，以(yi)及位于相鄰(lin)第一(yi)導電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)區(qu)和第二(er)(er)(er)導電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)區(qu)之間的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)隔(ge)離區(qu)；第一(yi)導電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)區(qu)和電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)隔(ge)離區(qu)形成具有第一(yi)摻雜(za)元素(su)的(de)載(zai)(zai)流子收(shou)集層；在(zai)第二(er)(er)(er)導電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)區(qu)和載(zai)(zai)流子收(shou)集層外(wai)側順序層疊形成本征含硅(gui)膜(mo)(mo)層和具有第二(er)(er)(er)摻雜(za)元素(su)的(de)摻雜(za)含硅(gui)膜(mo)(mo)層；利用第一(yi)功(gong)率的(de)激光去除對應于第一(yi)導電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)區(qu)的(de)本征含硅(gui)膜(mo)(mo)層和摻雜(za)含硅(gui)膜(mo)(mo)層；利用第二(er)(er)(er)功(gong)率的(de)激光照射對應于電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)隔(ge)離區(qu)的(de)摻雜(za)含硅(gui)膜(mo)(mo)層，使摻雜(za)含硅(gui)膜(mo)(mo)層轉換為第一(yi)絕緣玻(bo)璃層，第二(er)(er)(er)功(gong)率小于第一(yi)功(gong)率，該(gai)制(zhi)備方法制(zhi)備的(de)背(bei)接觸異質結太(tai)陽能(neng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)的(de)隔(ge)離區(qu)也不容易出現(xian)漏電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)的(de)問題。

天眼查(cha)資(zi)料顯示，北(bei)京晶(jing)澳太陽能光(guang)伏科技有(you)限(xian)公司，成立于2014年，位于北(bei)京市，是一家(jia)以從事批發業為主的企業。企業注冊(ce)資(zi)本50000萬人(ren)民幣。通過天眼查(cha)大(da)數(shu)據分析，北(bei)京晶(jing)澳太陽能光(guang)伏科技有(you)限(xian)公司共(gong)對(dui)外投資(zi)了26家(jia)企業，參與招投標項目11次，專利信息35條(tiao)，此(ci)外企業還擁(yong)有(you)行政許可(ke)8個。