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微導納米成功攻克TOPcon整線向BC整線技術升級的技術瓶頸

2025-09-30 15:39來源:gessey瀏覽數:175 

當前TOPCon電池技術已(yi)替代(dai)PERC電池成為(wei)市(shi)場(chang)主流,市(shi)占率超過(guo)80%,市(shi)場(chang)規(gui)模突破800GW。然而,技術迭代(dai)的(de)步伐并未停(ting)歇(xie)。憑借更高的(de)轉換效(xiao)率和極致(zhi)美觀(guan)度,BC(背接觸)電池正于(yu)高端分布式(shi)市(shi)場(chang)快速崛起。面對(dui)(dui)這一(yi)發(fa)展趨勢,國內多家光伏設備廠商對(dui)(dui)TOPCon與BC電池技術路(lu)線的(de)深度機理研(yan)究及(ji)應用開發(fa),攻(gong)克現有(you)TOPCon產線升(sheng)級(ji)BC的(de)技術瓶(ping)頸與難點。

據悉,經過數(shu)年技(ji)(ji)術(shu)攻(gong)關,江蘇微(wei)(wei)導納(na)(na)(na)米科技(ji)(ji)股份(fen)有(you)限公司(688147.SH)在BC電(dian)池(chi)技(ji)(ji)術(shu)領域(yu)取得(de)突(tu)破(po)。其自主(zhu)研發(fa)的硼(peng)擴散(san),磷擴散(san),LPCVD、PE-Poly等關鍵(jian)設備,陸(lu)續成功應用于(yu)BC電(dian)池(chi)量(liang)產,有(you)效解(jie)決了TOPcon產線(xian)升級BC產線(xian)的技(ji)(ji)術(shu)瓶頸,同(tong)時結合微(wei)(wei)導納(na)(na)(na)米ALD及PECVD設備在BC電(dian)池(chi)上的穩定量(liang)產表現(xian),標志著微(wei)(wei)導納(na)(na)(na)米在BC電(dian)池(chi)高溫(wen)及真空(kong)設備技(ji)(ji)術(shu)領域(yu)率(lv)先(xian)實現(xian)重大突(tu)破(po),奠定了其在該領域(yu)的技(ji)(ji)術(shu)領先(xian)地(di)位(wei)。

在技(ji)術(shu)(shu)推進(jin)過程中,微導納米充(chong)分發(fa)揮其在真空設備技(ji)術(shu)(shu)領(ling)域(yu)(yu)、Poly工(gong)藝原創性開發(fa)應用領(ling)域(yu)(yu)以及整(zheng)(zheng)線工(gong)藝整(zheng)(zheng)合領(ling)域(yu)(yu)的(de)(de)經驗積累,直面BC電(dian)池量產中存(cun)在的(de)(de)技(ji)術(shu)(shu)瓶頸(jing),如Poly技(ji)術(shu)(shu)路線單(dan)一,薄膜及產能匹配失衡(heng),運營成本(ben)居高不下等(deng)問題。通過對硼擴散(san)(san)(san)、磷(lin)擴散(san)(san)(san)、LPCVD、PECVD、PE-Poly、Laser等(deng)關(guan)鍵設備上進(jin)行技(ji)術(shu)(shu)開發(fa)升級,微導納米不僅實現了(le)(le)硼擴散(san)(san)(san)、磷(lin)擴散(san)(san)(san)、LPCVD及PECVD的(de)(de)大產能,高良率的(de)(de)目(mu)標(biao),還有效(xiao)降(jiang)低了(le)(le)BC產線的(de)(de)投資成本(ben)。通過將PE-Poly技(ji)術(shu)(shu)引入BC產線,并(bing)取得(de)關(guan)鍵技(ji)術(shu)(shu)突破(po),實現了(le)(le)BC電(dian)池的(de)(de)Poly技(ji)術(shu)(shu)多樣化,為TOPCon升級BC電(dian)池提供了(le)(le)又一低成本(ben)的(de)(de)選擇。

基(ji)于以上技術(shu)(shu)突破,微導納米在TOPCon3.0產(chan)品基(ji)礎上成(cheng)(cheng)功開發出BC整線(xian)(xian)解決方案(an)(an)。通過在TOPCon產(chan)線(xian)(xian)上引入部分設(she)備(bei),并對兼(jian)(jian)容(rong)的設(she)備(bei)進行有限改(gai)造(zao),即可達(da)成(cheng)(cheng)從TOPCon技術(shu)(shu)升(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)級到BC技術(shu)(shu)的目的。除傳(chuan)統的LPCVD路(lu)(lu)線(xian)(xian)的BC升(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)級方案(an)(an)外,本方案(an)(an)的最大亮(liang)點是LPCVD+PE-Poly路(lu)(lu)線(xian)(xian)的BC技術(shu)(shu)方案(an)(an),該方案(an)(an)與(yu)市場主流(liu)的TOPCon電池升(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)級BC具(ju)有極佳的兼(jian)(jian)容(rong)性,預計將(jiang)大幅度降低(di)升(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)級成(cheng)(cheng)本和量產(chan)成(cheng)(cheng)本,未來還可以升(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)級全(quan)PE-Poly路(lu)(lu)線(xian)(xian)的BC技術(shu)(shu),為BC技術(shu)(shu)更(geng)進一步的提效與(yu)降本,儲備(bei)技術(shu)(shu)研發方向。

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