歐(ou)陽子 博(bo)士，北京晶(jing)澳太(tai)陽能光伏(fu)科技有限公司產品(pin)與解決方案研發中心總裁

歐陽(yang)子(zi)(zi)重(zhong)點(dian)(dian)(dian)介紹(shao)了晶弦技(ji)(ji)術(shu)、鈣(gai)鈦(tai)礦(kuang)疊(die)層及(ji)TOPCon三大技(ji)(ji)術(shu)領域的(de)突(tu)破性進展。在晶弦技(ji)(ji)術(shu)方(fang)面，通過(guo)重(zhong)構(gou)電(dian)流路(lu)徑（表面→導(dao)電(dian)種子(zi)(zi)層→導(dao)電(dian)絲），使電(dian)阻(zu)率(lv)降(jiang)至3×10^-6 Ω·cm，較傳統工(gong)藝降(jiang)低(di)40%，銀(yin)耗量減(jian)少30%的(de)同時保持轉(zhuan)換效率(lv)無損。鈣(gai)鈦(tai)礦(kuang)技(ji)(ji)術(shu)取(qu)得(de)關鍵突(tu)破：采用雙分(fen)子(zi)(zi)鈍化策略(lve)后，單結電(dian)池(chi)效率(lv)達(da)23.1%（提(ti)(ti)升1.2%），疊(die)層電(dian)池(chi)突(tu)破33.4%，其中SAMs層厚度控制在15±2nm、SnO2電(dian)子(zi)(zi)遷移率(lv)提(ti)(ti)升至120cm2/V·s是核心(xin)突(tu)破點(dian)(dian)(dian)。TOPCon技(ji)(ji)術(shu)刷新行(xing)業紀錄，通過(guo)精質硅片（氧含(han)量＜8×101? atoms/cm3）和Bycum+ 5.0電(dian)池(chi)工(gong)藝，組(zu)件效率(lv)達(da)25.5%，功率(lv)輸出提(ti)(ti)升至670W（年(nian)增幅(fu)3%）。技(ji)(ji)術(shu)路(lu)線圖顯示，晶澳通過(guo)專(zhuan)利布局（已申請核心(xin)專(zhuan)利217項）實現電(dian)池(chi)/組(zu)件效率(lv)年(nian)提(ti)(ti)升0.6%/0.5%，其中晶弦技(ji)(ji)術(shu)降(jiang)低(di)電(dian)阻(zu)損耗達(da)58%成為最大技(ji)(ji)術(shu)亮(liang)點(dian)(dian)(dian)，直(zhi)接(jie)支撐其"降(jiang)低(di)LCOE 5%"的(de)戰略(lve)目(mu)標。