2024 年(nian) 12 月 18 日(ri) ， NexWafe宣(xuan)布其(qi)太(tai)陽(yang)能硅片(pian)制造(zao)技術(shu)取得重(zhong)大(da)突(tu)破。

NexWafe 的 EpiNex 太陽(yang)能硅片在商用(yong) M6 異質結 （HJT） 電池(chi)系列上實(shi)現(xian)了(le) 24.4% 的效率(lv)，首次實(shi)現(xian)了(le)與傳統 CZ 硅片相同的效率(lv)。

NexWafe采用直接“氣體到硅片(pian)”外延技術(shu)，通過化學氣相沉(chen)積在(zai)晶(jing)體基板上生(sheng)長硅晶(jing)體結構。這種方法與常見的CZ硅片(pian)不(bu)同(tong)，后者(zhe)是通過在(zai)石英(ying)坩堝(guo)中熔(rong)煉硅錠(ding)并切割成薄片(pian)生(sheng)產的。

這一結(jie)果驗(yan)證了(le) NexWafe 的(de)直接(jie)氣(qi)體到硅片工藝優勢，通(tong)過減少材料浪費、降低 40% 的(de)能(neng)耗和消除電池生產中的(de)鋸損傷蝕刻工藝步驟，帶(dai)來了(le)顯著的(de)降低成本潛力(li)。

官網(wang)資料顯(xian)示，傳(chuan)統的 CZ 技術會因多晶(jing)硅損失而造(zao)成(cheng) 50% 的材料浪費(fei)，而 EpiNex 主(zhu)要通過消除(chu)線鋸割縫損失，將這種浪費(fei)減少到 10% 以(yi)下。

EpiNex 技術還可以很好地滿足下一代太陽(yang)能電池對太空應(ying)用和串聯結電池不斷(duan)變(bian)化(hua)的(de)(de)(de)(de)(de)需求(qiu)。這(zhe)些(xie)應(ying)用需要更(geng)薄(bo)的(de)(de)(de)(de)(de)硅片，這(zhe)些(xie)硅片具有更(geng)強的(de)(de)(de)(de)(de)熱穩定性、精確的(de)(de)(de)(de)(de)平整度和突出的(de)(de)(de)(de)(de)材料質量——EpiNex 專為提供這(zhe)些(xie)功(gong)能而(er)設計。值(zhi)得注意的(de)(de)(de)(de)(de)是，EpiNex 晶圓(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)(de)(de)氧含(han)量比傳統 CZ 晶圓(yuan)(yuan)低20 倍。這(zhe)實(shi)現了熱穩定性，并有助于提高電池在高溫(wen)條件下的(de)(de)(de)(de)(de)性能。

太空應用

NexWafe 使(shi)用 EpiNex 晶圓開發(fa)超(chao)薄(bo)70μm電(dian)池，以滿(man)足(zu)對太陽能電(dian)池日益增(zeng)長的(de)需(xu)求，為(wei)近地軌道(dao)衛星供(gong)電(dian)。這(zhe)些電(dian)池的(de)輻射(she)性能與傳統的(de) CZ PERC 相當(dang)，并具有(you)顯著的(de)功率(lv)重量比(bi)優勢，使(shi)其成(cheng)為(wei)太空應用的(de)理想(xiang)選擇。

鈣鈦礦疊層電池應用

NexWafe 在下一代電(dian)(dian)(dian)池應用方面也取得了(le)重(zhong)大進展。通(tong)過與 Le Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique S.A. （CSEM） 合作，使用 NexWafe 的(de) EpiNex 硅(gui)片的(de)串聯鈣鈦(tai)礦2結電(dian)(dian)(dian)池實現了(le) 28.9% 的(de)效率，凸(tu)顯了(le)它們在先進太陽能技術方面的(de)潛力。EpiNex 晶(jing)圓在納米尺度上具有出色(se)的(de)光滑度，為下一代低成(cheng)本、溶(rong)液處理(li)(li)的(de)串聯鈣鈦(tai)礦電(dian)(dian)(dian)池提供了(le)理(li)(li)想的(de)平臺。

硅片供應鏈

NexWafe表示，為了與中國(guo)競爭，制造業需要不斷降本(ben)增效。NexWafe 的(de)(de)專利技(ji)術通過減少材料浪費和(he)能(neng)(neng)源消耗，將大大提高降本(ben)增效能(neng)(neng)力，在(zai)大幅降低成本(ben)的(de)(de)同時(shi)提高性(xing)能(neng)(neng)。“這些最新結果(guo)對(dui)光(guang)伏硅片制造具有(you)(you)變(bian)革性(xing)意義。EpiNex 有(you)(you)可能(neng)(neng)以類似(si)于從(cong)多晶錠到(dao)單晶硅的(de)(de)歷史性(xing)轉變(bian)的(de)(de)方式撼動太陽(yang)能(neng)(neng)行業。EpiNex 將推動類似(si)的(de)(de)轉型(xing)，“NexWafe 首席執(zhi)行官 Davor Sutija 說。“我(wo)們的(de)(de)技(ji)術為區域制造商創(chuang)造了與中國(guo)競爭的(de)(de)機會(hui)，實(shi)現(xian)了性(xing)能(neng)(neng)和(he)成本(ben)的(de)(de)飛躍(yue)，同時(shi)顯著減少了碳足跡。”

為吉瓦級生產做好準備

NexWafe表(biao)示，公司正在(zai)推進其 ProCon 2.5 工具設計，計劃(hua)于 2025 年 6 月完(wan)成。這(zhe)種創新系(xi)統(tong)利用(yong)先進的(de)(de)加熱系(xi)統(tong)和在(zai)線常壓化學氣相(xiang)沉(chen)積(ji)，在(zai) 1.3m x 50cm 的(de)(de)面積(ji)上沉(chen)積(ji)單(dan)晶硅(gui)，相(xiang)當于一次通過超過 14 個 G12 晶圓。這(zhe)是外(wai)延硅(gui)沉(chen)積(ji)有史(shi)以(yi)來(lai)實現的(de)(de)最大(da)面積(ji)。ProCon 平臺的(de)(de)沉(chen)積(ji)速(su)率(lv)為(wei)(wei)每(mei)(mei)分鐘(zhong) 5 μm，溫度(du)均勻性可實現低于 40% 的(de)(de)總(zong)厚(hou)度(du)變化 （TTV），代表(biao)了制(zhi)造(zao)可擴(kuo)展性的(de)(de)重大(da)飛躍。市(shi)場牽(qian)引力NexWafe 獲得了GW級的(de)(de)采購訂單(dan)，針對傳統(tong)的(de)(de)大(da)型(xing)市(shi)場和太(tai)空(kong)市(shi)場。這(zhe)些訂單(dan)表(biao)明(ming) NexWafe 的(de)(de)市(shi)場有望將制(zhi)造(zao)回流(liu)到印度(du)、北美和歐洲，預計每(mei)(mei)GW可節省(sheng)大(da)量資本(ben)和運營(ying)成本(ben)。在(zai)規模(mo)上，EpiNex 硅(gui)片(pian)還減少了 40% 的(de)(de)二氧化碳(tan)排放量，與行業(ye)的(de)(de)脫碳(tan)目標(biao)保持一致。“我們看到太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi)制(zhi)造(zao)商，尤其是美國(guo)和印度(du)的(de)(de)太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi)制(zhi)造(zao)商，對尋求國(guo)內(nei)硅(gui)片(pian)供應產(chan)生了濃厚(hou)的(de)(de)興趣。我們已經為(wei)(wei)主流(liu)太(tai)陽(yang)能市(shi)場簽訂了超過5GW的(de)(de)有條件供應協議，為(wei)(wei)包(bao)括太(tai)空(kong)在(zai)內(nei)的(de)(de)專業(ye)應用(yong)贏得了250MW的(de)(de)超薄電(dian)池(chi)合同，“NexWafe美國(guo)業(ye)務(wu)發(fa)展副總(zong)裁Jonathan Pickering表(biao)示。