張淳博士在全球光伏前沿技(ji)術大(da)會（6）：薄膜與鈣鈦(tai)礦上針對(dui)高效N型太陽(yang)能電池核心工藝裝備技(ji)術路線進行分(fen)享。

張博(bo)士首(shou)先介紹了高(gao)效(xiao)N型(xing)(xing)電池(chi)(chi)技(ji)術進展與趨勢(shi)，光伏電池(chi)(chi)片技(ji)術由尸型(xing)(xing)向(xiang)N型(xing)(xing)迭代(dai)。由于轉換效(xiao)率的瓶頸(jing)，各電池(chi)(chi)廠商都在(zai)努(nu)力(li)追求技(ji)術上的改進和(he)效(xiao)率上的突(tu)破(po)。N型(xing)(xing)高(gao)效(xiao)電池(chi)(chi)在(zai)目前轉換效(xiao)率和(he)末來增(zeng)長(chang)空間上全面優于PERC，已成為電池技術的(de)主要發展方(fang)向。HJT異(yi)質結電(dian)池在第三代光伏主流電(dian)池中優勢(shi)明顯。新電池技術路(lu)線中，HJT優勢(shi)顯著，產(chan)能增(zeng)長(chang)較快。相(xiang)較其(qi)他幾種技術路線，HJT具有開路電壓高、溫度系數(shu)低、無(wu)LID和PID效應、結構對稱易于薄片化和低溫(wen)工藝能耗低的優點。得益于上述(shu)優勢，N型(xing)技(ji)術(shu)中，HJT的產(chan)能(neng)增(zeng)速最(zui)高。

其次介紹了高(gao)效N型電池技術路線與(yu)主工藝(yi)裝備，向我們展示了各(ge)類(lei)電池的(de)優勢。中(zhong)國(guo)光(guang)伏(fu)行業(ye)在2023年(nian)呈現出顯著的(de)增(zeng)(zeng)長(chang)(chang)和發展，其中(zhong)光(guang)伏(fu)主材的(de)供應量大幅增(zeng)(zeng)長(chang)(chang)，技術進(jin)步(bu)和出口業(ye)績突出。根據中(zhong)國(guo)光(guang)伏(fu)行業(ye)協會的(de)統計，2023年(nian)多(duo)晶硅產量達(da)到143萬噸，增(zeng)(zeng)長(chang)(chang)率高(gao)達(da)67%；硅片產量為(wei)622GW同(tong)比增(zeng)(zeng)長(chang)(chang)67.5%；電池片產量達(da)到545GW增(zeng)(zeng)長(chang)(chang)率為(wei)64.9%；組件產量則達(da)到500GW增(zeng)(zeng)長(chang)(chang)率高(gao)達(da)69.3%。

TOPCon為隧(sui)穿氧化層鈍化接(jie)觸(chu)太(tai)陽能電池，具有(you)高極限(xian)效率(lv)。其具有(you)更高的效率(lv)極限(xian) （28.2%～28.7%），接(jie)近晶(jing)體硅太(tai)陽能電池理論極限(xian)效率(lv)(29.43%）。

BF3的(de)摻雜(za)效率(lv)相較(jiao)B2H6低40%以上，B2H6容易(yi)產生粉(fen)塵，當溫(wen)度(du)高于400°C，粉(fen)塵量與舟的(de)使用壽(shou)命(ming)惡化(hua)嚴重;低溫(wen)（<400°C）生長隧(sui)穿層容易(yi)在退火過程中破(po)裂(lie)分解；低溫(wen)沉積非晶硅，膜層內氣(qi)泡較(jiao)嚴重，但通過工藝(yi)調(diao)整(zheng)無法消除。硼摻雜(za)石(shi)墨舟壽(shou)命(ming)較(jiao)低，絕緣(yuan)陶瓷環與氣場(chang)結(jie)構需要優化。