華瑞先(xian)生在(zai)全(quan)球光伏(fu)前沿(yan)技術(shu)大(da)會（3）：晶硅光伏(fu)組(zu)件(jian)及(ji)質(zhi)量保證針對賽(sai)默飛分子光譜技術(shu)在光(guang)伏(fu)產業鏈的分(fen)析(xi)解決(jue)方案進行(xing)分(fen)享(xiang)。

首先，華先生介紹了分子光譜(pu)(pu)產(chan)品(pin)線：傅(fu)里葉變換(huan)紅外(wai)光譜(pu)(pu)儀、傅(fu)里葉變換(huan)近紅外(wai)光譜(pu)(pu)儀、拉(la)曼光譜(pu)(pu)儀。

其(qi)次具體介(jie)紹了太陽能電(dian)池生產流程(cheng)的(de)解決方案：

1.碳、氧(yang)含量分析

2.羥基值(zhi)測定

3.元素(su)含(han)量測(ce)定

4.VA含量測定和(he)改性分析

5.HJT微結構因子

6.硅薄膜晶化率

7.CIGS薄膜元素分析

其中硅中氧、碳含量分析的依據：朗伯比(bi)爾(er)定律、吸收(shou)率與組分的濃度(du)和光程（紅外(wai)光在(zai)樣品內經過的路程）成(cheng)正比(bi)：A=abc。

Nicolet iG5o Wafer Analysis System 是一(yi)款專(zhuan)為工(gong)業(ye)應用推出(chu)的(de)(de)FT-1R 系(xi)統，專(zhuan)為半(ban)導體(ti)晶(jing)圓(yuan)的(de)(de)分(fen)析而(er)設(she)計(ji)。基(ji)于(yu)功能(neng)強大的(de)(de)Nicolet iG50 傅里葉紅外光譜儀(yi)，Nicolet Wafer Analysis System 能(neng)完美的(de)(de)滿足(zu)半(ban)導體(ti)企業(ye)產品質控的(de)(de)需(xu)求(qiu)。支(zhi)(zhi)持(chi)100mm-300mm的(de)(de)晶(jing)圓(yuan)（兼容多個(ge)尺(chi)寸(cun)）、可定制化機臺(tai)配置、易學易用的(de)(de)操作界面、自(zi)動進樣(yang)（可選(xuan)支(zhi)(zhi)持(chi)E84和SMIF）、支(zhi)(zhi)持(chi)標準(zhun)SEMl軟件通信(SECS/GEM)、機械臂自(zi)動取樣(yang)，提高檢測速度、滿足(zu)半(ban)導體(ti)企業(ye)對檢測速度和潔凈程(cheng)度的(de)(de)要求(qiu)。

最后，華(hua)先生介(jie)紹了光伏(fu)玻(bo)璃(li)主要(yao)原(yuan)料包(bao)括石(shi)(shi)(shi)英砂、石(shi)(shi)(shi)灰石(shi)(shi)(shi)、純堿(jian)等，為了保證該類(lei)玻(bo)璃(li)具有(you)足夠的透光率、耐久性及安全性，需要(yao)對原(yuan)材(cai)料成品玻(bo)璃(li)進(jin)行嚴格的質量管控。

對(dui)于(yu)(yu)成(cheng)品(pin)光(guang)(guang)伏玻(bo)璃(li)(li)，除了(le)常規的(de)主量元(yuan)素(su)Na、 Ca、 Si以(yi)外，Fe元(yuan)素(su)尤(you)其重(zhong)要，直接決定了(le)玻(bo)璃(li)(li)的(de)透光(guang)(guang)率(lv)，透光(guang)(guang)率(lv)直接決定光(guang)(guang)伏玻(bo)璃(li)(li)的(de)儲能效率(lv)。同時Fe元(yuan)素(su)含量越低，透光(guang)(guang)率(lv)越高(gao)，然而使(shi)用(yong)化學(xue)法無法很好(hao)的(de)分(fen)(fen)析低含量的(de)Fe元(yuan)素(su)，ICP或(huo)分(fen)(fen)光(guang)(guang)光(guang)(guang)度(du)計對(dui)于(yu)(yu)成(cheng)品(pin)玻(bo)璃(li)(li)而言(yan)前處(chu)理(li)較(jiao)困(kun)難，人為誤差較(jiao)大，整個(ge)測試周(zhou)期長，效率低，無法(fa)較(jiao)好(hao)的(de)進行品(pin)控。