隆基徐希翔、李振國團隊在P型硅片上實現26.6%的異質結電池效率2024-03-13 13:19來源：gessey瀏覽數:231次
在非晶(jing)/結晶(jing)硅(a-Si:H/c-Si)界(jie)面形成的異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)具(ju)有獨特(te)的電子(zi)特(te)性，可用于硅異(yi)(yi)質(zhi)結(jie)(SHJ)太陽能電池。超薄(bo)a-Si:H鈍化層的結(jie)合(he)實現了750 mV的高開路電壓(ya)(Voc)。此外(wai)，n型或p型摻雜的a-Si:H接觸(chu)層可以(yi)結(jie)晶成混(hun)合(he)相，減輕寄生吸收，并提高載流子(zi)選擇性和收集效率。 隆基綠能(neng)(neng)(neng)科技股份有限公(gong)司Xu Xixiang、Li Zhenguo等人(ren)在p型(xing)硅(gui)片上實現效率為26.6%的(de)SHJ太陽能(neng)(neng)(neng)電(dian)池。作(zuo)者在晶片上采用(yong)了(le)磷擴散吸(xi)雜預處理(li)策略，并使用(yong)了(le)納米(mi)晶體硅(gui)(nc-Si:H)的(de)載流(liu)子選(xuan)擇(ze)性接觸，將p型(xing)SHJ太陽能(neng)(neng)(neng)電(dian)池的(de)效率大幅提高到(dao)26.56%，從(cong)而(er)為p型(xing)硅(gui)太陽能(neng)(neng)(neng)電(dian)池建立了(le)新的(de)性能(neng)(neng)(neng)基準。 作(zuo)者(zhe)(zhe)詳(xiang)細介紹了(le)該器件(jian)的工藝發展和光電性(xing)能改善。最后，作(zuo)者(zhe)(zhe)進行功率損耗分析以確(que)定(ding)p型SHJ太陽能電(dian)池(chi)技術的(de)未來發展路徑。
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