電池片工藝流程:

制(zhi)絨(INTEX)→擴散(san)(DIFF)→后(hou)清(qing)洗(刻(ke)邊/去(qu)PSG)→鍍減反射膜(PECVD)→絲網、燒結(PRINTER)→測試、分選(TESTER+SORTER)→包裝(zhuang)(PACKING)

制(zhi)絨(rong)的(de)(de)目的(de)(de)是在(zai)(zai)硅片(pian)表(biao)面形(xing)成絨(rong)面面，以(yi)(yi)減少(shao)電池片(pian)的(de)(de)反射(she)率(lv)，絨(rong)面凹凸不平可(ke)以(yi)(yi)增加二次(ci)反射(she)，改變光程及入射(she)方式。通常情況下(xia)用(yong)堿(jian)處理(li)單晶，可(ke)以(yi)(yi)得到(dao)金(jin)字塔狀(zhuang)絨(rong)面；用(yong)酸處理(li)多晶，可(ke)以(yi)(yi)得到(dao)蟲孔(kong)狀(zhuang)無規則絨(rong)面。處理(li)方式區(qu)別主要在(zai)(zai)與單多晶性質的(de)(de)區(qu)別。

工(gong)藝流(liu)程：制絨(rong)槽→水(shui)洗→堿洗→水(shui)洗   →酸洗→水(shui)洗→吹干。

一般情況(kuang)下(xia)，硅與HF、HNO3（硅表面(mian)會(hui)被鈍化(hua)）認為(wei)是不反(fan)(fan)應(ying)的。當存在于兩種混(hun)合(he)酸的體(ti)系中(zhong)，硅與混(hun)合(he)溶液的反(fan)(fan)應(ying)是持(chi)續(xu)性的。

二、擴散

擴(kuo)散(san)是為電(dian)池片(pian)制(zhi)(zhi)造心臟(zang)，是為電(dian)池片(pian)制(zhi)(zhi)造P-N結(jie)，POCl3是當前磷擴(kuo)散(san)用較(jiao)(jiao)多(duo)的選擇。POCl3為液(ye)態磷源(yuan)，液(ye)態磷源(yuan)擴(kuo)散(san)具有生產(chan)效率較(jiao)(jiao)高、穩定性好、制(zhi)(zhi)得PN結(jie)均勻平整及擴(kuo)散(san)層表(biao)面良好等優點(dian)。

POCl3在(zai)(zai)大于600℃的(de)條件下分解生成(cheng)五(wu)氯(lv)化磷(lin)（PCl5）和五(wu)氧(yang)化二磷(lin)（P2O5），PCl5對硅片(pian)表(biao)面有腐蝕作用(yong)，當有氧(yang)氣O2存在(zai)(zai)時，PCl5會分解成(cheng)P2O5且釋放(fang)出氯(lv)氣，所(suo)以擴(kuo)(kuo)散通(tong)氮(dan)氣的(de)同(tong)時通(tong)入(ru)一定流量的(de)氧(yang)氣   。P2O5在(zai)(zai)擴(kuo)(kuo)散溫度下與(yu)硅反應(ying)，生成(cheng)二氧(yang)化硅和磷(lin)原(yuan)子(zi)(zi)，生成(cheng)的(de)P2O5淀(dian)積在(zai)(zai)硅片(pian)表(biao)面與(yu)硅繼續反應(ying)生成(cheng)SiO2和磷(lin)原(yuan)子(zi)(zi)，并(bing)在(zai)(zai)硅片(pian)表(biao)面形(xing)成(cheng)磷(lin)-硅玻璃（PSG），磷(lin)原(yuan)子(zi)(zi)向硅中(zhong)擴(kuo)(kuo)散   ,制得(de)N型半導體。

三、刻蝕

在(zai)擴(kuo)(kuo)散(san)工(gong)序(xu)(xu)，采用背(bei)(bei)靠背(bei)(bei)的(de)單面(mian)擴(kuo)(kuo)散(san)方式(shi)，硅(gui)片的(de)側邊(bian)和背(bei)(bei)面(mian)邊(bian)緣不(bu)可(ke)避(bi)免(mian)地(di)都會擴(kuo)(kuo)散(san)上磷原(yuan)子。當(dang)陽(yang)光(guang)照(zhao)射，P-N結(jie)的(de)正面(mian)收集(ji)到的(de)光(guang)生電(dian)子會沿著邊(bian)緣擴(kuo)(kuo)散(san)有(you)磷的(de)區域流到P-N結(jie)的(de)背(bei)(bei)面(mian)，造成(cheng)短(duan)路(lu)(lu)通(tong)路(lu)(lu)。短(duan)路(lu)(lu)通(tong)道等效(xiao)于(yu)降(jiang)低(di)并(bing)聯電(dian)阻。刻蝕工(gong)序(xu)(xu)是讓硅(gui)片邊(bian)緣帶有(you)的(de)磷的(de)部分去除(chu)干凈(jing)，避(bi)免(mian)了P-N結(jie)短(duan)路(lu)(lu)并(bing)且造成(cheng)并(bing)聯電(dian)阻降(jiang)低(di)。

濕(shi)法刻蝕工藝流程：上(shang)片→蝕刻槽（H2SO4 HNO3 HF）→水洗(xi)→堿槽(KOH)→水洗(xi)→HF槽→水洗(xi)→下片

HNO3反(fan)應(ying)氧化(hua)生(sheng)成SiO2，HF去(qu)除SiO2。刻(ke)蝕堿槽的作用(yong)是(shi)為(wei)了拋光未制絨面(mian)，使電池片(pian)變(bian)得光滑；堿槽的主要溶液為(wei)KOH；H2SO4是(shi)為(wei)了讓硅(gui)片(pian)在流水線上漂浮流動(dong)起來，并不參(can)與反(fan)應(ying)。

干法(fa)刻蝕是用(yong)等(deng)(deng)離子體(ti)進行(xing)薄膜(mo)刻蝕。當氣(qi)(qi)體(ti)以(yi)等(deng)(deng)離子體(ti)形式存(cun)在(zai)時，一方(fang)(fang)面(mian)等(deng)(deng)離子體(ti)中的(de)氣(qi)(qi)體(ti)化學活性(xing)會變得(de)相(xiang)對較(jiao)強，選擇合(he)適的(de)氣(qi)(qi)體(ti)，就可以(yi)讓硅片更快速(su)的(de)進行(xing)反應(ying)，實現(xian)刻蝕；另(ling)一方(fang)(fang)面(mian)，可利用(yong)電場(chang)對等(deng)(deng)離子體(ti)進行(xing)引導和加速(su)，使等(deng)(deng)離子體(ti)具有(you)一定能量，當轟擊硅片的(de)表面(mian)時，硅片材料的(de)原子擊出，可以(yi)達到利用(yong)物理上的(de)能量轉(zhuan)移來實現(xian)刻蝕的(de)目的(de)。

四、PECVD

等離子(zi)體化(hua)學氣相沉積。太(tai)(tai)陽光(guang)在硅(gui)表面的反射損失(shi)率高(gao)達35%左右。減反射膜可以提(ti)(ti)(ti)(ti)高(gao)電池片對太(tai)(tai)陽光(guang)的吸(xi)收，有(you)助于提(ti)(ti)(ti)(ti)高(gao)光(guang)生電流(liu)，進而提(ti)(ti)(ti)(ti)高(gao)轉換(huan)(huan)效率：另(ling)一方面，薄膜中的氫對電池表面的鈍(dun)化(hua)降(jiang)低了(le)發射結的表面復合速(su)率，減小暗電流(liu)，提(ti)(ti)(ti)(ti)升開路電壓，提(ti)(ti)(ti)(ti)高(gao)光(guang)電轉換(huan)(huan)效率。H能與硅(gui)中的缺(que)陷或雜(za)質進行反應(ying),從(cong)而將禁(jin)帶(dai)中的能帶(dai)轉入(ru)價帶(dai)或者導帶(dai)。

在真(zhen)空環境下及480攝(she)氏度(du)的(de)溫度(du)下，通過對(dui)石(shi)墨舟的(de)導電(dian)，使硅片的(de)表(biao)面(mian)鍍上(shang)一(yi)層SixNy薄膜。

五、絲網印刷

通俗(su)的(de)(de)(de)說就是為(wei)太陽能電(dian)(dian)(dian)池(chi)收集電(dian)(dian)(dian)流(liu)并制(zhi)造(zao)(zao)電(dian)(dian)(dian)極(ji)，第(di)一(yi)道背面(mian)(mian)銀(yin)(yin)電(dian)(dian)(dian)極(ji)，第(di)二道背面(mian)(mian)鋁背場的(de)(de)(de)印刷和(he)烘干(gan)；第(di)三道正面(mian)(mian)銀(yin)(yin)電(dian)(dian)(dian)極(ji)的(de)(de)(de)印刷，主要監(jian)控印刷后的(de)(de)(de)濕重(zhong)和(he)次柵(zha)線(xian)(xian)的(de)(de)(de)寬度。第(di)二道道濕重(zhong)如果(guo)過(guo)(guo)大，既(ji)浪費漿(jiang)(jiang)料，同(tong)時還可(ke)能導致(zhi)不(bu)能在(zai)進高(gao)溫區之前(qian)充分干(gan)燥(zao)，甚至不(bu)能將其(qi)中的(de)(de)(de)所(suo)有(you)有(you)機物趕出(chu)從而不(bu)能將整個鋁漿(jiang)(jiang)層轉變為(wei)金(jin)屬鋁，另外濕重(zhong)過(guo)(guo)大可(ke)能造(zao)(zao)成燒結(jie)后電(dian)(dian)(dian)池(chi)片(pian)弓片(pian)。濕重(zhong)過(guo)(guo)小，所(suo)有(you)鋁漿(jiang)(jiang)均會在(zai)后續的(de)(de)(de)燒結(jie)過(guo)(guo)程(cheng)中與硅(gui)形成熔融區域(yu)而被消耗，而該合(he)金(jin)區域(yu)無論從橫向電(dian)(dian)(dian)導率(lv)(lv)還是從可(ke)焊(han)性方(fang)面(mian)(mian)均不(bu)適合(he)于(yu)作為(wei)背面(mian)(mian)金(jin)屬接觸，另外還有(you)可(ke)能出(chu)現鼓包等(deng)外觀不(bu)良(liang)。第(di)三道道柵(zha)線(xian)(xian)寬度過(guo)(guo)大，會使電(dian)(dian)(dian)池(chi)片(pian)受(shou)光面(mian)(mian)積較少(shao)，效率(lv)(lv)下(xia)降。

印刷(shua)方法：物理印刷(shua)、烘干

六、燒結

燒結(jie)(jie)是把印刷到(dao)電池(chi)片表面的(de)(de)電極在高溫(wen)下燒結(jie)(jie)，使電極和(he)硅(gui)片本身形成歐(ou)姆接(jie)(jie)觸，提高電池(chi)片的(de)(de)開路電壓和(he)填充因子，使電極的(de)(de)接(jie)(jie)觸具(ju)有電阻(zu)特性(xing)以(yi)達到(dao)高轉效率(lv)，燒結(jie)(jie)過程中也可利于PECVD工藝所引入－H向體內擴散，可以(yi)起到(dao)良(liang)好的(de)(de)體鈍化作用。

燒結(jie)(jie)方式：高(gao)溫快速燒結(jie)(jie)，加熱方式：紅外線加熱

燒結是集擴(kuo)散、流動和物(wu)理化學(xue)反應綜合(he)(he)作用的一個過程，正(zheng)面Ag穿(chuan)過SiNH擴(kuo)散進硅但(dan)不可到達P-N面，背面Ag、Al擴(kuo)散進硅，由于需要(yao)形成(cheng)合(he)(he)金需要(yao)到一定(ding)的溫(wen)度(du)，Ag、Al與Si形成(cheng)合(he)(he)金的穩定(ding)又不同，就需要(yao)設定(ding)不同的溫(wen)度(du)來分別實現(xian)合(he)(he)金化。