鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）因廉價的材料成本、易于制備大面積器件以及較高的光電轉換效率等優點而備受關注。SnO2具有高透過率、高電子遷移率、適宜的能級、良好的紫外輻照穩定性和易于低溫加工等特點，是目前n-i-p型PSCs電池常用的電子傳輸材料。然而，它的體相和表面的缺陷【氧空位（VO）、懸空羥基（-OH）和不飽和配位金屬原子】易引起載流子累積和非輻射復合損失。此外，鈣鈦礦中金屬、鹵素和有機離子的配位不足也會引起界面化學反應，使得器件的效率和穩定性惡化。因此，對PSCs埋底界面的優化是實現其高效率和穩定性的關鍵。然而，由于埋底界面的非暴露特性，對其進行研究和優化具有一定的挑戰性。

中(zhong)(zhong)國科學院上(shang)海高等研(yan)究院開發了簡(jian)單有效(xiao)的策(ce)略，通過在SnO2納米顆粒中(zhong)(zhong)加(jia)入草酸甲脒（FOA）來同時抑制SnO2體相(xiang)和表面(mian)缺(que)陷以及(ji)鈣(gai)鈦(tai)礦埋(mai)底界(jie)面(mian)處(chu)FA+/Pb2+相(xiang)關缺(que)陷，實(shi)現了有效(xiao)的靶向缺(que)陷鈍化。相(xiang)關研(yan)究成果以Target Therapy for Buried Interfacial Engineering Enables Stable Perovskite Solar Cells with 25.05% Efficiency為題，發表在《先進材料》（Advanced Materials）上(shang)。

研究(jiu)發現，甲脒離子和(he)草酸根離子在SnO2層中均呈縱(zong)向梯度分(fen)布(bu)，聚(ju)集(ji)在SnO2/鈣(gai)鈦礦埋底(di)界(jie)面處，調節鈣(gai)鈦礦的晶體(ti)(ti)生長，降(jiang)低體(ti)(ti)相及界(jie)面缺(que)陷，改善鈣(gai)鈦礦和(he)SnO2之間(jian)的能級匹配。結果表明，FOA處理(li)后的PSCs能量轉(zhuan)換效率從(cong)22.40%提高(gao)到25.05%，同時PSCs的存(cun)儲穩定性和(he)光(guang)穩定性也顯著提升。

該(gai)研(yan)(yan)究為靶向(xiang)治(zhi)療(liao)埋底界(jie)面缺陷，改善PSCs性能提供了有效途(tu)徑。研(yan)(yan)究工作得到(dao)國家自然科(ke)(ke)學(xue)基金委(wei)員(yuan)會、廣東省基礎(chu)與應用基礎(chu)研(yan)(yan)究基金委(wei)員(yuan)會、深圳市(shi)科(ke)(ke)技創新委(wei)員(yuan)會及山西省科(ke)(ke)技廳(ting)的(de)支持。該(gai)研(yan)(yan)究由(you)上(shang)海高研(yan)(yan)院、南(nan)方科(ke)(ke)技大學(xue)、香港城市(shi)大學(xue)合作完成(cheng)。