瑞能半導體SiC高級產品市場經理 王越

在5月24日第十六屆全球光伏前沿技術大會主(zhu)題論壇上(shang)，瑞(rui)能半導體SiC高級(ji)產(chan)品市場經理王越對(dui)碳(tan)化硅功率(lv)器件產(chan)品進(jin)行了分享介紹。

瑞能SiC晶(jing)圓(yuan)技術現(xian)在達到了6英寸晶(jing)圓(yuan)高功率密(mi)度，未來將挑戰8英寸晶(jing)圓(yuan)。 瑞能半號體 SiC MOSFET精細(xi)調整負溫度系數特性，使得Rdson隨溫度交(jiao)化較量減小，更(geng)(geng)適合高溫應用。經過優化的(de)(de)柵極氧化層確保器件(jian)在15V門極驅動電壓下正常(chang)工(gong)作，更(geng)(geng)容易(yi)在傳統(tong)設計中直接導入替(ti)換。同時(shi)，其擁(yong)有極低的(de)(de)Ronsp，功率密(mi)度更(geng)(geng)高，產品克爭(zheng)力更(geng)(geng)強(qiang)。

王越介紹(shao)到，瑞能(neng)半導體源自于(yu)NXP，自2011年以(yi)來，瑞能(neng)持續研(yan)(yan)發并推出(chu)多(duo)款SiC功率半導體器件，出(chu)貨(huo)量累計4000萬(wan)顆。瑞能(neng)Sic 二極(ji)管，已經完成6次產(chan)品(pin)(pin)迭代(dai)(dai)，G6產(chan)品(pin)(pin)擁(yong)有1.26V超低VF瑞能(neng)SiC MOSFET，正在進(jin)行(xing)第3代(dai)(dai)產(chan)品(pin)(pin)溝槽柵(zha)工(gong)藝(yi)研(yan)(yan)發，目前第2代(dai)(dai)產(chan)品(pin)(pin)已擁(yong)有業內最低的2.6m Ω?cm2比導通(tong)電阻。

作為全球功率半導體行(xing)業的(de)佼佼者，瑞能始終專注于研發行(xing)業領先(xian)、廣(guang)泛(fan)且深入(ru)的(de)功率半導體產(chan)品(pin)組合，公司主(zhu)要(yao)產(chan)品(pin)主(zhu)要(yao)包括碳化硅器件，可控硅整流器和晶閘管，快恢二(er)極(ji)管，TVS,ESD,IGBT,模塊(kuai)等。產(chan)品(pin)廣(guang)泛(fan)應用于以(yi)家電為代表的(de)消費電子、以(yi)通信電源為代表的(de)工(gong)業制造、新(xin)能源及汽車等領域。